所属学校：日本国立材料研究所
职称：研究员
研究领域：宽禁带半导体光电材料与器件
教育经历
l 1999/9—2002/7 中国科学院半导体研究所，材料物理与化学，工学博士
l 1996/9-1999/7 兰州大学物理系，凝聚态物理，理学硕士
l 1992/9-1996/7 兰州大学物理系，理学学士
工作经历
l 2008/4- 日本国立材料科学研究所，功能材料部门，主干研究员
l 2014/3-2015/8 英国阿斯顿大学，玛丽-居里高级研究员
l 2006/10-2008/3 日本国立材料科学研究所，国际青年科学家中心，博士后
l 2007/12-2008/1 法国国家科学研究中心客座研究员
l 2004/7-2006/9 日本国立材料科学研究所，光学传感中心，博士后
l 2002/8-2004/4 日本京都大学，电气与电子工程系，离子束实验室客员副教授。
l 2001/3-2001/9 香港城市大学，超金刚石及先进薄膜中心，研究助理。
一直从事宽禁带半导体材料的制备、物性、半导体器件，MEMS及其物理和应用研究，在这些领域作出了一系列原创和具有特色的工作。
主要原创性学术贡献有: 在半导体光电器件与物理领域，(1)提出了宽禁带半导体光电导物理机制；提出并设计了多种新型光电传感器件概念。为发展半导体新型光电器件提供了物理原理和技术依据。(2) 提出了一种全新的低能耗场效应晶体管，某种程度上克服了宽禁带半导体双极型晶体管的制备难点。丰富了半导体电子器件家族。(3)研发了目前为止的唯一单晶金刚石MEMS/NEMS器件。解决了金刚石MEMS/NEMS领域加工难的挑战课题，为发展单晶金刚石MEMS/NEMS奠定了基础。
学术研究成果受到国际同行广泛关注：多次受邀在金刚石领域最著名的国际会议International Conference on Diamond and Carbon Materials等作大会特邀报告，受邀为美国材料学会杂志MRS Bulletin和J.J. Appl. Phys金刚石专刊撰稿，并被邀为日本知名金刚石杂志New Diamond撰写亮点文章。还受到日本NHK电视台、日刊工业新闻、日经产业新闻等二十多家新闻媒体关注。以上工作在国际著名刊物如发表SCI论文160 余篇，论文被引用8000余次,H因子45。并在Chem. Soc. Rev.等著名杂志上发表相关领域的综述论文5篇，主编专著1部，参与撰写专著3部。已获美国专利4项，日本专利13项。主持和参与日本文部省自然科学基金5项，日本新能源组织项目1项，日本科技厅专项2项，日本国立材料研究所重大项目3项，欧盟项目2项。获省部级科学技术进步一等奖1项。